ITEM / 7
輸出令別表第一 七の項
対象地域
全地域
規制概要・よくある品目（別表第一の記載）
- 次に掲げる貨物であつて、経済産業省令で定める仕様のもの
- （一） 集積回路（四の項の中欄に掲げるものを除く。）
- （二） マイクロ波用機器若しくはその部分品又はミリ波用機器の部分品
- （三） 弾性波若しくは音響光学効果を利用する信号処理装置又はその部分品
- （四） 超電導材料を用いた装置
- （五） 超電導電磁石（二の項の中欄に掲げるものを除く。）
- （六） 一次セル、二次セル又は太陽電池セル
- （七） 高電圧用コンデンサ（二の項の中欄に掲げるものを除く。）
- （八） エンコーダ又はその部分品（四の項の中欄に掲げるものを除く。）
- （八の二） パルス出力の切換えを行うサイリスターデバイス又はサイリスターモジュール
- （八の三） 電力の制御又は電気信号の整流を行う半導体素子又は半導体モジュール
- （八の四） 電気光学効果を利用する光変調器
- （九） サンプリングオシロスコープ
- （十） アナログデジタル変換器（四の項の中欄に掲げるものを除く。）
- （十の二） フィールドプログラマブルロジックデバイスを組み込んだモジュール、組立品又は装置
- （十一） デジタル方式の記録装置
- （十二） 信号発生器
- （十三） 周波数分析器
- （十四） ネットワークアナライザー
- （十五） 原子周波数標準器
- （十五の二） スプレー冷却方式の熱制御装置
- （十五の三） 極低温用に設計した冷却装置又はその部分品
- （十六） 半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置若しくは試験装置又はこれらの部分品若しくは附属品
- （十七） マスク若しくはレチクル又はこれらの部分品若しくは附属品（一〇の項の中欄に掲げるものを除く。）
- （十七の二） マスクの製造に用いられる基材
- （十八） 半導体基板
- （十九） レジスト
- （二十） アルミニウム、ガリウム若しくはインジウムの有機金属化合物又は燐、砒素若しくはアンチモンの有機化合物
- （二十一） 燐、砒素又はアンチモンの水素化物
- （二十二） 炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドの基板（（十八）に掲げるものを除く。）又はインゴット、ブールその他のプリフォーム
- （二十三） 多結晶の基板（（十八）及び（二十二）に掲げるものを除く。）
- （二十四） シリコン又はゲルマニウムのふっ化物、水素化物又は塩化物
- （二十五） シリコン、シリコンの酸化物、ゲルマニウム若しくはゲルマニウムの酸化物又はこれらの基板（（十八）及び（二十三）に掲げるものを除く。）若しくはインゴット、ブールその他のプリフォーム
貨物等省令の基準・参照条文全文
貨物等省令 第六条 に規定される基準の全文です。
- 輸出令別表第一の七の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
- 一集積回路（モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路、マルチチップ集積回路、膜形集積回路（シリコンオンサファイア集積回路を含む。）、光集積回路、三次元集積回路及びモノリシックマイクロ波集積回路を含む。）であって、次のいずれかに該当するもの
- イ次のいずれかの放射線照射に耐えられるように設計したもの
- （一）全吸収線量がシリコン換算で五、〇〇〇グレイ以上のもの
- （二）吸収線量がシリコン換算で一秒間に五、〇〇〇、〇〇〇グレイ以上のもの
- （三）一メガ電子ボルト相当の中性子束（積算値）が一平方センチメートル当たり五〇兆個以上となるもの（ＭＩＳ形のものは除く。）
- ロマイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、アナログデジタル変換機能を有しデジタル化されたデータを記録し、若しくは処理することができるもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、カスタム集積回路（ハからチまで若しくはルからヨまでのいずれかに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。以下この条において同じ。）、ＦＦＴプロセッサ、スタティック式のラム又は不揮発性メモリーであって、次のいずれかに該当するもの（民生用の自動車又は鉄道車両用に設計した集積回路を除く。）
- （一）一二五度を超える温度で使用することができるように設計したもの
- （二）零下五五度未満の温度で使用することができるように設計したもの
- （三）零下五五度以上一二五度以下の全ての温度範囲で使用することができるように設計したもの
- ハマイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ又はマイクロコントローラのうち、化合物半導体を用いたものであって、最大クロック周波数が四〇メガヘルツを超えるもの
- ニ削除
- ホアナログデジタル変換用のもの又はデジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの
- （一）アナログデジタル変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの（ワに該当するものを除く。）
- １分解能が八ビット以上一〇ビット未満のものであって、サンプルレートが一・三ギガサンプリング毎秒を超えるもの
- ２分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、サンプルレートが六〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
- ３分解能が一二ビット以上一四ビット未満のものであって、サンプルレートが四〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
- ４分解能が一四ビット以上一六ビット未満のものであって、サンプルレートが二五〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
- ５分解能が一六ビット以上のものであって、サンプルレートが六五メガサンプリング毎秒を超えるもの
- （二）デジタルアナログ変換用のものであって、次のいずれかに該当するもの
- １分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、調整された更新速度が三、五〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
- ２分解能が一二ビット以上のものであって、次のいずれかに該当するもの
- 一調整された更新速度が一、二五〇メガサンプリング毎秒を超え三、五〇〇メガサンプリング毎秒以下のもののうち、次のいずれかに該当するもの
- イ一二ビットの分解能で動作する場合のアナログ出力値が、フルスケールのレベルからフルスケールの〇・〇二四パーセント以内のレベルに変化するまでのセトリング時間が九ナノ秒未満のもの
- ロ一〇〇メガヘルツのデジタル入力信号でフルスケールを出力する場合又は一〇〇メガヘルツ未満のデジタル入力信号で最も高いフルスケールを出力する場合のスプリアス・フリー・ダイナミック・レンジが六八デシベルを超えるもの
- 二調整された更新速度が三、五〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
- ヘ信号処理用の電気光学的集積回路又は光集積回路であって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの
- （一）レーザー発振器を有するもの
- （二）受光素子を有するもの
- （三）光導波路を有するもの
- トフィールドプログラマブルロジックデバイス（コンプレックスプログラマブルロジックデバイス、フィールドプログラマブルゲートアレイ、フィールドプログラマブルロジックアレイ又はフィールドプログラマブル相互接続用集積回路を含む。）であって、次のいずれかに該当するもの（ワに該当するものを除く。）
- （一）シングルエンド方式の最大デジタル入出力数が七〇〇を超えるもの
- （二）シリアルトランシーバーの最大データ速度の総計が一秒当たり五〇〇ギガビット以上のもの
- チニューラルネットワークを用いたもの（ヨに該当するものを除く。）
- リカスタム集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）端子数が一、五〇〇を超えるもの
- （二）基本ゲート伝搬遅延時間が〇・〇二ナノ秒未満のもの
- （三）動作周波数が三ギガヘルツを超えるもの
- ヌ化合物半導体を用いたデジタル方式のものであって、次のいずれかに該当するもの（ハ、ホからリまで及びルのいずれかに該当するものを除く。）
- （一）等価ゲート数が二入力ゲート換算で三、〇〇〇を超えるもの
- （二）トグル周波数が一・二ギガヘルツを超えるもの
- ルＦＦＴプロセッサであって、高速フーリエ変換のミリ秒で表した定格実行時間が次に掲げる式により算出した値未満のもの
- （List ）
- （（複素点の数）ｌｏｇ２（複素点の数））／２０，４８０
- ヲダイレクト・デジタル・シンセサイザ（ＤＤＳ）集積回路であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）デジタルアナログ変換クロック周波数が三・五ギガヘルツ以上であって、デジタルアナログ変換分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のもの
- （二）デジタルアナログ変換クロック周波数が一・二五ギガヘルツ以上であって、デジタルアナログ変換分解能が一二ビット以上のもの
- ワ次の（一）及び（二）に該当するもの又はこれを実行するようにプログラムが可能なもの
- （一）アナログデジタル変換機能を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
- １分解能が八ビット以上一〇ビット未満のものであって、サンプルレートが一・三ギガサンプリング毎秒を超えるもの
- ２分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、サンプルレートが一ギガサンプリング毎秒を超えるもの
- ３分解能が一二ビット以上一四ビット未満のものであって、サンプルレートが一ギガサンプリング毎秒を超えるもの
- ４分解能が一四ビット以上一六ビット未満のものであって、サンプルレートが四〇〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
- ５分解能が一六ビット以上のものであって、サンプルレートが一八〇メガサンプリング毎秒を超えるもの
- （二）次のいずれかに該当するもの
- １デジタル化されたデータを記録するもの
- ２デジタル化されたデータを処理するもの
- カ相補型金属酸化膜半導体集積回路であって、零下二六八・六五度以下の温度で作動するように設計したもの（ロに該当するものを除く。）
- ヨ一つ以上のデジタルプロセッサユニットを有するものであって合計処理性能（ＴＰＰ）が六、〇〇〇以上のもの
- 二マイクロ波用機器又はミリ波用機器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの
- イ真空電子デバイス（クライストロン、進行波管及びこれらから派生したものを含む。以下ロにおいて同じ。）であって、次のいずれかに該当するもの（（四）に該当するものを除く。）
- （一）進行波真空電子デバイスであって、次のいずれかに該当するもの
- １動作周波数が三一・八ギガヘルツを超えるもの
- ２フィラメントを加熱してから定格出力に達するまでの時間が三秒未満の熱陰極を有するもの
- ３空胴結合形のものであって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が七パーセントを超えるもの又は最大出力が二・五キロワットを超えるもの
- ４ヘリックス形のもの、折返し導波管形のもの又は蛇行導波管回路形のものであって、次のいずれかに該当するもの
- 一一オクターブを超える瞬時帯域幅を有するものであって、キロワットで表した場合の平均出力の数値にギガヘルツで表した場合の動作周波数の数値を乗じて得た数値が〇・五を超えるもの
- 二一オクターブ以下の瞬時帯域幅を有するものであって、キロワットで表した場合の平均出力の数値にギガヘルツで表した場合の動作周波数の数値を乗じて得た数値が一を超えるもの
- 三宇宙用に設計したもの
- 四グリッド式電子銃を有するもの
- ５瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセント以上のものであって、次のいずれかを有するもの
- 一環状電子ビーム
- 二非軸対称電子ビーム
- 三複数電子ビーム
- （二）クロスフィールド増幅真空電子デバイスであって、その利得が一七デシベルを超えるもの
- （三）デュアルモードで操作可能なもの
- （四）国際電気通信連合が無線通信用に割り当てた周波数帯域（無線測位用に割り当てた周波数帯域を除く。）で使用するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
- １動作周波数が三一・八ギガヘルツ以下であるもの
- ２専ら宇宙において使用するために設計したもの以外のものであって、平均出力値が五〇ワット以下及び動作周波数が三一・八ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下のもの
- ロ真空電子デバイスに使用するように設計した熱電子陰極であって、定格動作状態での放射電流密度が五アンペア毎平方センチメートルを超えるもの又は定格動作状態でのパルス放射電流密度が一〇アンペア毎平方センチメートルを超えるもの
- ハモノリシックマイクロ波集積回路増幅器であって、次のいずれかに該当するもの（カに該当する集積化された移相器を有するモノリシックマイクロ波集積回路増幅器を除く。）
- （一）動作周波数が二・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一五パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
- １動作周波数が二・七ギガヘルツ超二・九ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が七五ワット（四八・七五ディービーエム）超三〇〇ワット（五四・八ディービーエム）以下のもの
- ２動作周波数が二・九ギガヘルツ超三・二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五五ワット（四七・四ディービーエム）超三〇〇ワット（五四・八ディービーエム）以下のもの
- ３動作周波数が三・二ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が四〇ワット（四六ディービーエム）超三〇〇ワット（五四・八ディービーエム）以下のもの
- ４動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇ワット（四三ディービーエム）超一二〇ワット（五〇・八ディービーエム）以下のもの
- ５動作周波数が二・七ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三〇〇ワット（五四・八ディービーエム）を超えるのもの
- ６動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一二〇ワット（五〇・八ディービーエム）を超えるのもの
- （二）動作周波数が六・八ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
- １動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一〇ワット（四〇ディービーエム）超二五ワット（四四ディービーエム）以下のもの
- ２動作周波数が八・五ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五ワット（三七ディービーエム）超二五ワット（四四ディービーエム）以下のもの又は動作周波数が一二ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五ワット（三七ディービーエム）を超えるもの
- ３動作周波数が六・八ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二五ワット（四四ディービーエム）を超えるもの
- （三）動作周波数が一六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三ワット（三四・七七ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
- （四）動作周波数が三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット（マイナス七〇ディービーエム）を超えるもの
- （五）動作周波数が三七ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一・〇ワット（三〇ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
- （六）動作周波数が四三・五ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三一・六二ミリワット（一五ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
- （七）動作周波数が七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一〇ミリワット（一〇ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が五パーセントを超えるもの
- （八）動作周波数が九〇ギガヘルツを超え、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット（マイナス七〇ディービーエム）を超えるもの
- ニマイクロ波用ディスクリートトランジスタであって、次のいずれかに該当するもの
- （一）動作周波数が二・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、次のいずれかに該当するもの
- １動作周波数が二・七ギガヘルツ超二・九ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が四〇〇ワット（五六ディービーエム）超六〇〇ワット（五七・八ディービーエム）以下のもの
- ２動作周波数が二・九ギガヘルツ超三・二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇五ワット（五三・一二ディービーエム）超六〇〇ワット（五七・八ディービーエム）以下のもの
- ３動作周波数が三・二ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一一五ワット（五〇・六一ディービーエム）超六〇〇ワット（五七・八ディービーエム）以下のもの
- ４動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が六〇ワット（四七・七八ディービーエム）超一三〇ワット（五一・二ディービーエム）以下のもの
- ５動作周波数が二・七ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が六〇〇ワット（五七・八ディービーエム）を超えるもの
- ６動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一三〇ワット（五一・二ディービーエム）を超えるもの
- （二）動作周波数が六・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、次のいずれかに該当するもの
- １動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五〇ワット（四七ディービーエム）超一三〇ワット（五一・二ディービーエム）以下のもの
- ２動作周波数が八・五ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一五ワット（四一・七六ディービーエム）超六〇ワット（四七・八ディービーエム）以下のもの
- ３動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一三〇ワット（五一・二ディービーエム）を超えるもの
- ４動作周波数が八・五ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が六〇ワット（四七・八ディービーエム）を超えるもの
- ５動作周波数が一二ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が四〇ワット（四六ディービーエム）を超えるもの
- ６動作周波数が一六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が七ワット（三八・四五ディービーエム）を超えるもの
- （三）動作周波数が三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・五ワット（二七ディービーエム）を超えるもの
- （四）動作周波数が三七ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が一ワット（三〇ディービーエム）を超えるもの
- （五）動作周波数が四三・五ギガヘルツを超え、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット（マイナス七〇ディービーエム）を超えるもの
- （六）動作周波数が八・五ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の全ての周波数帯域において、ピーク飽和出力値が五ワット（三七ディービーエム）を超えるもの（第六条第二号ニ（一）から（五）までのいずれかに該当するものを除く。）
- ホマイクロ波用固体増幅器（モノリシックマイクロ波集積回路増幅器及びハーモニックミクサ又はコンバータを除く。）又はこれを含む組立品若しくはモジュール（送受信モジュール及び送信モジュールを除く。）であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）動作周波数が二・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一五パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
- １動作周波数が二・七ギガヘルツ超二・九ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五〇〇ワット（五七ディービーエム）を超えるもの
- ２動作周波数が二・九ギガヘルツ超三・二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二七〇ワット（五四・三ディービーエム）を超えるもの
- ３動作周波数が三・二ギガヘルツ超三・七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇〇ワット（五三ディービーエム）を超えるもの
- ４動作周波数が三・七ギガヘルツ超六・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が九〇ワット（四九・五四ディービーエム）を超えるもの
- （二）動作周波数が六・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもののうち、次のいずれかに該当するもの
- １動作周波数が六・八ギガヘルツ超八・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が七〇ワット（四八・四五ディービーエム）を超えるもの
- ２動作周波数が八・五ギガヘルツ超一二ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が五〇ワット（四七ディービーエム）を超えるもの
- ３動作周波数が一二ギガヘルツ超一六ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が三〇ワット（四四・七七ディービーエム）を超えるもの
- ４動作周波数が一六ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇ワット（四三ディービーエム）を超えるもの
- （三）動作周波数が三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・五ワット（二七ディービーエム）を超えるもの
- （四）動作周波数が三七ギガヘルツ超四三・五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二ワット（三三ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
- （五）動作周波数が四三・五ギガヘルツを超えるものであって、次のいずれかに該当するもの
- １動作周波数が四三・五ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が〇・二ワット（二三ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が一〇パーセントを超えるもの
- ２動作周波数が七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、ピーク飽和出力値が二〇ミリワット（一三ディービーエム）を超えるもののうち、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が五パーセントを超えるもの
- ３動作周波数が九〇ギガヘルツ超であって、ピーク飽和出力値が〇・一ナノワット（マイナス七〇ディービーエム）を超えるもの
- ヘ電子的又は磁気的に同調可能な帯域通過フィルターであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
- （一）半オクターブの周波数帯域を一〇マイクロ秒未満で同調可能な可変周波数共振器を六以上有するもの
- （二）中心周波数の〇・五パーセントを超える帯域を通過することができるもの
- ト電子的又は磁気的に同調可能な帯域阻止フィルターであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
- （一）半オクターブの周波数帯域を一〇マイクロ秒未満で同調可能な可変周波数共振器を六以上有するもの
- （二）中心周波数の〇・五パーセント未満の帯域を阻止することができるもの
- チ削除
- リハーモニックミクサ又はコンバータであって、次のいずれかに該当するもの
- （一）スペクトラムアナライザーの周波数帯域を一一〇ギガヘルツ超に拡張するように設計したもの
- （二）信号発生器の動作範囲を拡張するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
- １周波数帯域が一一〇ギガヘルツを超えるもの
- ２周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下であって、出力が一〇〇ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの
- （三）ネットワークアナライザーの動作範囲を拡張するように設計したものであって、次のいずれかに該当するもの
- １周波数帯域が一一〇ギガヘルツを超えるもの
- ２周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下であって、出力が一〇〇ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの
- （四）マイクロ波用試験受信機の周波数帯域を一一〇ギガヘルツ超に拡張するように設計したもの
- ヌイに該当する真空電子デバイスを内蔵するマイクロ波用電力増幅器であって、次の（一）及び（二）に該当するもの（国際電気通信連合が無線通信用に割り当てた周波数帯域（無線測位用に割り当てた周波数帯域を除く。）で使用するように設計したものを除く。）
- （一）動作周波数が三ギガヘルツを超えるもの
- （二）平均出力電力の質量に対する比が八〇ワット毎キログラムを超えるものであって、体積が四〇〇立方センチメートル未満のもの
- ルマイクロ波用電力モジュールであって、進行波真空電子デバイス、モノリシックマイクロ波集積回路及び電源を有するもののうち、次の（一）から（三）までの全てに該当するもの
- （一）完全停止状態から完全作動状態までの時間が一〇秒未満のもの
- （二）体積が、ワットで表した最高定格出力値に一〇立方センチメートル毎ワットを乗じて得た数値未満のもの
- （三）一オクターブを超える瞬時帯域幅を有するものであって、次のいずれかに該当するもの
- １周波数が一八ギガヘルツ以下のものにあっては、無線周波数の出力が一〇〇ワットを超えるもの
- ２周波数が一八ギガヘルツを超えるもの
- ヲ発振器又は発振機能を有する組立品であって、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの周波数帯域において、搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次に掲げる式により算定した値未満のもの
- （List ）
- ２０ｌｏｇ１０（メガヘルツで表した動作周波数）－２０ｌｏｇ１０（ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり）－１２６
- ワ周波数シンセサイザーを用いた電子組立品のうち、次のいずれかに該当するもの
- （一）周波数切換えの所要時間が一四三ピコ秒未満のもの
- （二）四・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
- （三）削除
- （四）三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が五〇〇マイクロ秒未満のもの
- （五）三七ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
- （六）七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の合成出力周波数範囲で、五・〇ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
- （七）九〇ギガヘルツを超える合成出力周波数範囲で、周波数切換えの所要時間が一ミリ秒未満のもの
- カ送受信モジュール、送受信用モノリシックマイクロ波集積回路、送信モジュール及び送信用モノリシックマイクロ波集積回路であって、動作周波数が二・七ギガヘルツを超えるもののうち、次の全てに該当するもの
- （一）いずれかのチャネルにおいて、ワットで表したピーク飽和出力値が五〇五・六二をギガヘルツで表した最大動作周波数の二乗で除した値を超えるもの
- （二）いずれかのチャネルにおいて、瞬時帯域幅を中心周波数で除した値が五パーセント以上のもの
- （三）平面のいずれかの辺の長さをセンチメートルで表した値が、送信又は送受信チャネル数と一五の積をギガヘルツで表した最小動作周波数で除した値以下のもの
- （四）チャネル毎に電子的に位相シフトできるもの
- ヨパラメトリック信号増幅器であって、次の（一）から（三）までの全てに該当するもの
- （一）零下二七二・一五度未満の温度で作動するように設計したもの
- （二）動作周波数が二ギガヘルツ超一五ギガヘルツ以下で作動するように設計したもの
- （三）動作周波数が二ギガヘルツ超一五ギガヘルツ以下かつ零下二七二・一五度の温度において、雑音指数が〇・〇一五デシベル未満のもの
- 三弾性波若しくは音響光学効果を利用する信号処理装置であって、次のいずれかに該当するもの（特定の帯域通過、低域通過、高域通過、帯域阻止又は共振の機能のいずれかのみを有するものを除く。）又はその部分品
- イ表面弾性波又は疑似表面弾性波を利用するものであって、次のいずれかに該当するもの
- （一）搬送周波数が六ギガヘルツを超えるもの
- （二）搬送周波数が一ギガヘルツ超六ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの
- １サイドローブに対するメインローブの電力の比が六五デシベルを超えるもの
- ２マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が一〇〇を超えるもの
- ３帯域幅が二五〇メガヘルツを超えるもの
- ４分散型遅延時間（周波数に応じた遅延時間の最大の値と最小の値との差をいう。）が一〇マイクロ秒を超えるもの
- （三）搬送周波数が一ギガヘルツ以下のものであって、次のいずれかに該当するもの
- １マイクロ秒で表した場合の最大遅延時間の数値にメガヘルツで表した場合の帯域幅の数値を乗じて得た数値が一〇〇を超えるもの
- ２分散型遅延時間が一〇マイクロ秒を超えるもの
- ３サイドローブに対するメインローブの電力の比が六五デシベルを超えるものであって、帯域幅が一〇〇メガヘルツを超えるもの
- ロバルク弾性波を利用するものであって、六ギガヘルツを超える周波数で信号の直接処理ができるもの
- ハ弾性波と光波の相互作用を利用したものであって、信号又は画像の直接処理ができるもの
- 四超電導材料を用いた装置のうち、超電導材料を用いた部品を有する電子素子又は電子回路であって、使用する超電導材料の臨界温度より低い温度で使用することができるように設計し、かつ、次のいずれかに該当するもの
- イ超電導ゲートを有するデジタル回路用の電流スイッチングの機能を有するものであって、ゲート当たりの遅延時間にゲート当たりの電力消費を乗じて得た値が一、〇〇〇億分の一ミリジュール未満のもの
- ロ周波数分離の機能を有するものであって、キュー値が一〇、〇〇〇を超える共振回路を有するもの
- 五セル（バッテリー（シングルセルバッテリーを含む。）に組み込まれているものを除く。）であって、次のいずれかに該当するもの
- イ一次セルであって、二〇度の温度におけるエネルギー密度及び電力密度が次のいずれかに該当するもの
- （一）エネルギー密度が五五〇ワット時毎キログラムを超え、かつ、連続的な電力密度が五〇ワット毎キログラムを超えるもの
- （二）エネルギー密度が五〇ワット時毎キログラムを超え、かつ、連続的な電力密度が三五〇ワット毎キログラムを超えるもの
- ロ二次セルであって、二〇度の温度におけるエネルギー密度が三五〇ワット時毎キログラムを超えるもの
- 六高電圧用のコンデンサであって、次のいずれかに該当するもの
- イ反復サイクルが一〇ヘルツ未満のコンデンサであって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの
- （一）定格電圧が五キロボルト以上のもの
- （二）エネルギー密度が二五〇ジュール毎キログラム以上のもの
- （三）総エネルギーが二五キロジュール以上のもの
- ロ反復サイクルが一〇ヘルツ以上のコンデンサであって、次の（一）から（四）までのすべてに該当するもの
- （一）定格電圧が五キロボルト以上のもの
- （二）エネルギー密度が五〇ジュール毎キログラム以上のもの
- （三）総エネルギーが一〇〇ジュール以上のもの
- （四）一〇、〇〇〇回以上充電及び放電の繰り返しをすることができるように設計したもの
- 七一秒を要しないで磁界を完全に形成させ、又は消失させるように設計した超電導電磁石（ソレノイドコイル形のものを含む。）であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの
- イ減磁の際に最初の一秒間で放出するエネルギーが一〇キロジュールを超えるもの
- ロコイルの内径が二五〇ミリメートルを超えるもの
- ハ定格最大電流密度が三〇〇アンペア毎平方ミリメートルを超えるもの又は定格磁束密度が八テスラを超えるもの
- 七の二太陽電池セル、セル連結保護ガラス集成品、太陽電池パネル又は太陽光アレーであって、宇宙用に設計したもののうち、エア・マス・ゼロで一、三六七ワット毎平方メートルの照射を受けたときの最小平均変換効率が、二八度の動作温度において二〇パーセントを超えるもの
- 八回転入力型のアブソリュートエンコーダであって、角度の変換誤差の絶対値が一秒以下のもの及び当該エンコーダ用に設計されたリング、ディスク又はスケール
- 八の二パルス出力の切換えを行うサイリスターデバイス又はサイリスターモジュールであって、電気的に若しくは光学的に制御された切換え方法又は電子の放射を制御された切換え方法を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの（民生用の鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。）
- イ最大立上がり電流が三〇、〇〇〇アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、休止状態電圧が一、一〇〇ボルトを超えるもの
- ロ最大立上がり電流が二、〇〇〇アンペア毎マイクロ秒を超えるものであって、次の（一）及び（二）に該当するもの
- （一）休止状態電圧が三、〇〇〇ボルト以上のもの
- （二）最大電流が三、〇〇〇アンペア以上のもの
- 八の三電力の制御又は電気信号の整流を行う半導体素子又は半導体モジュールであって、次のイからハまでのすべてに該当するもの（民生用の自動車、鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。）
- イ最大動作接合部温度が二一五度を超えるように設計したもの
- ロ繰返しピーク休止状態電圧が三〇〇ボルトを超えるもの
- ハ継続電流が一アンペアを超えるもの
- 八の四アナログ信号用に設計した光の強度、振幅又は位相を操作する電気光学効果を利用する光変調器であって、次のいずれかに該当するもの（光入出力コネクタを有するものを含む。）
- イ最大動作周波数が一〇ギガヘルツ超二〇ギガヘルツ未満であって、光挿入損失が三デシベル以下のもののうち、次のいずれかに該当するもの
- （一）一ギガヘルツ以下の周波数で測定した場合の半波長電圧が二・七ボルト未満のもの
- （二）一ギガヘルツを超える周波数で測定した場合の半波長電圧が四ボルト未満のもの
- ロ最大動作周波数が二〇ギガヘルツ以上のものであって、光挿入損失が三デシベル以下のもののうち、次のいずれかに該当するもの
- （一）一ギガヘルツ以下の周波数で測定した場合の半波長電圧が三・三ボルト未満のもの
- （二）一ギガヘルツを超える周波数で測定した場合の半波長電圧が五ボルト未満のもの
- 九サンプリングオシロスコープであって、リアルタイムサンプリング手法を用いているもののうち、次のイ及びロに該当するもの
- イチャネルのノイズが最小となる縦軸レンジにおけるノイズ電圧の二乗平均平方根がフルスケールの二パーセント未満のもの
- ロいずれかのチャネルの上限三デシベル周波数が九〇ギガヘルツを超えるもの
- 十アナログデジタル変換器のうち、アナログデジタル変換を行う機能を有するモジュール、電子組立品又は装置（アナログデジタル変換カード、波形デジタイザー、データ収集カード、信号収集ボード及びトランジェントレコーダーを含む。）であって、次のイ及びロに該当するもの（デジタル方式の記録装置、サンプリングオシロスコープ、スペクトラムアナライザー、信号発生器、ネットワークアナライザー及びマイクロ波用試験受信機を除く。）
- イ分解能及びサンプルレートが次のいずれかに該当するもの
- （一）分解能が八ビット以上一〇ビット未満のものであって、サンプルレートが一・三ギガサンプル毎秒を超えるもの
- （二）分解能が一〇ビット以上一二ビット未満のものであって、サンプルレートが一ギガサンプル毎秒を超えるもの
- （三）分解能が一二ビット以上一四ビット未満のものであって、サンプルレートが一ギガサンプル毎秒を超えるもの
- （四）分解能が一四ビット以上一六ビット未満のものであって、サンプルレートが四〇〇メガサンプル毎秒を超えるもの
- （五）分解能が一六ビット以上のものであって、サンプルレートが一八〇メガサンプル毎秒を超えるもの
- ロ次のいずれかの機能を持つもの
- （一）デジタル化されたデータを出力するもの
- （二）デジタル化されたデータを記録するもの
- （三）デジタル化されたデータを処理するもの
- 十の二モジュール、電子組立品又は装置であって、一つ以上のユーザー構成可能なフィールドプログラマブルロジックデバイスを組み込んだ、ルックアップテーブル入力数の総計が一、八〇〇、〇〇〇以上であるもの
- 十一デジタル方式の記録装置であって、次のイ及びロに該当するもの
- イディスクメモリ又はソリッドステートドライブメモリへのデータ連続記録速度が六・四ギガビット毎秒を超えて維持可能なもの
- ロ記録中の無線周波数信号データを信号処理することができるもの
- 十二スペクトラムアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
- イ三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、三デシベルの分解能帯域幅が四〇メガヘルツを超えるもの
- ロ四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、表示平均ノイズレベルがマイナス一六〇ディービーエム毎ヘルツ未満のもの
- ハ一一〇ギガヘルツを超える周波数を分析することができるもの
- ニ次の（一）及び（二）に該当するもの
- （一）実時間帯域幅が五二〇メガヘルツを超えるもの
- （二）次のいずれかに該当するもの
- １八マイクロ秒以下の長さの信号を、ギャップ又は窓効果による全振幅からの減衰が三デシベル未満で、一〇〇パーセントの確率で検出するもの
- ２周波数マスクトリガー機能を有するものであって、八マイクロ秒以下の長さの信号を一〇〇パーセントの確率で捉えるもの
- 十三信号発生器であって、次のいずれかに該当するもの（二以上の水晶発振器の周波数を加算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除く。）
- イ三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、次の（一）及び（二）に該当するパルス変調信号を発振するもの
- （一）パルス幅が二五ナノ秒未満のもの
- （二）オン・オフ比が六五デシベル以上のもの
- ロ四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、出力一〇〇ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの
- ハ次のいずれかに該当するもの
- （一）削除
- （二）四・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
- （三）削除
- （四）三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五五〇メガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が五〇〇マイクロ秒未満のもの
- （五）三七ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
- （六）七五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツを超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの
- ニ搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次のいずれかに該当するもの
- （一）三・二ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの
- （List ）
- ２０ｌｏｇ１０（メガヘルツで表した動作周波数）－２０ｌｏｇ１０（ヘルツで表した動作周波数とオフセット周波数の隔たり）－１２６
- （二）三・二ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇キロヘルツ超一〇〇キロヘルツ以下のいずれかの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの
- （List ）
- ２０ｌｏｇ１０（メガヘルツで表した動作周波数）－２０６
- ホデジタルベースバンド信号をベクトル変調する機能を有するもので、ベクトル変調帯域幅が次のいずれかに該当するもの
- （一）四・八ギガヘルツ超三一・八ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるもの
- （二）三一・八ギガヘルツ超三七ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五五〇メガヘルツを超えるもの
- （三）三七ギガヘルツ超七五ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、二・二ギガヘルツを超えるもの
- （四）七五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツを超えるもの
- ヘ最大出力周波数が一一〇ギガヘルツを超えるもの
- 十四ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
- イ四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が一〇〇ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの
- ロ削除
- ハ五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機能を有するもの（イに該当するものを除く。）
- ニ最大動作周波数が一一〇ギガヘルツを超えるもの
- 十五マイクロ波用試験受信機であって、次のイ及びロに該当するもの
- イ一一〇ギガヘルツを超える周波数で使用することができるように設計したもの
- ロ振幅及び位相を同時に測定できるもの
- 十六原子周波数標準器であって、次のいずれかに該当するもの
- イルビジウムを用いていないものであって、三〇日間連続して発振したときの安定度が一、〇〇〇億分の一未満のもの
- ロ宇宙用に設計したもの
- ハ宇宙用に設計していないものであって、次の（一）から（三）までのすべてに該当するもの
- （一）ルビジウムを用いたもの
- （二）三〇日間連続して発振したときの安定度が一、〇〇〇億分の一未満のもの
- （三）消費電力が一ワット未満のもの
- 十六の二スプレー冷却方式の熱制御装置であって、密閉された装置の中で冷媒の循環利用ができるもののうち、電気部品に絶縁冷媒を吹き付けて部品の温度を一定の範囲に収めるために特に設計した噴霧ノズルを有するもの又はそのために特に設計した部分品
- 十六の三極低温用の冷却装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
- イ零下二七三・〇五度以下の温度において、四八時間超にわたって、六〇〇マイクロワット以上の冷凍出力を供給する定格のもの
- ロ二段式のパルスチューブ冷凍機であって、温度を零下二六九・一五度未満に維持するものであり、かつ、零下二六八・九五度以下の温度において、一・五ワット以上の冷凍出力を供給する定格のもの
- 十七半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（ホ及びレにおいて「半導体製造装置」という。）若しくは試験装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品
- イ結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの（ウに該当するものを除く。）
- （一）七五ミリメートル以上の長さにわたり膜の厚さの許容差の絶対値が二・五パーセント未満のシリコン以外の膜を形成するように設計又は改造したもの
- （二）有機金属化学的気相成長反応炉であって、アルミニウム、ガリウム、インジウム、砒素、りん、アンチモン、酸素又は窒素のいずれか二以上の元素を有する化合物半導体をエピタキシャル成長させるもの
- （三）ガス源又は固体源を用いた分子線エピタキシャル成長装置
- ロイオン注入装置であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）削除
- （二）水素、重水素又はヘリウムを注入する場合において、ビームエネルギーが二〇キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が一〇ミリアンペア以上で作動するように設計し、最適化したもの
- （三）直接描画を行うことができるもの
- （四）加熱された半導体材料の基板へ酸素を注入する場合において、ビームエネルギーが六五キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が四五ミリアンペア以上のもの
- （五）六〇〇度以上の温度に加熱された半導体材料の基板へシリコンを注入する場合において、ビームエネルギーが二〇キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が一〇ミリアンペア以上で作動するように設計し、最適化したもの
- ハ削除
- ニ削除
- ホ自動的にウエハーの装塡を行うことができるマルチチャンバー対応ウエハー搬送中央装置であって、次の（一）及び（二）に該当するもの
- （一）イ（一）から（三）まで又はロ（二）から（五）までのいずれかに該当する半導体製造装置であってそれぞれ異なるものを三台以上接続することができるように設計したウエハーの出し入れ用の接続部を有するもの（異なる機能を有するものを接続することができるものに限る。）
- （二）複数のウエハーの処理を順次行うために真空状態で一体化された装置を構成するように設計したもの
- ヘリソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）ウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のもの又はエックス線を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
- １光源の波長が一九三ナノメートル未満のもの
- ２ナノメートルで表した光源の波長に〇・三五を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値が四五以下のもの
- （二）インプリントリソグラフィ装置であって、四五ナノメートル以下の線幅を実現することができるもの（テに該当するものを除く。）
- （三）マスクの製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
- １照射面の半値全幅の直径が六五ナノメートル未満、かつ、イメージ位置誤差（平均値に三シグマを加えたもの）が一七ナノメートル未満のもの
- ２削除
- ３マスク上の二層目の重ね合わせ誤差（平均値に三シグマを加えたもの）が二三ナノメートル未満のもの
- （四）直接描画方式で半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビームを用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの
- １照射面の直径が一五ナノメートル以下のもの
- ２重ね合わせ誤差（平均値に三シグマを加えたもの）が二七ナノメートル以下のもの
- ト削除
- チ削除
- リ削除
- ヌ試験装置であって、半導体素子若しくは集積回路又はこれらの半製品用のもののうち、次のいずれかに該当するもの
- （一）第二号ニに該当する貨物のエスパラメータを試験することができるように設計したもの
- （二）削除
- （三）第二号ハに該当する貨物の試験を行うことができるように設計したもの
- ルペリクル（極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したものに限る。）を製造するための装置
- ヲウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のものであり、かつ、光源の波長が一九三ナノメートル以上のもののうち、次の（一）及び（二）に該当するもの（ヘ（一）２に該当するものを除く。）
- （一）ナノメートルで表した光源の波長に〇・二五を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値が四五以下のもの
- （二）同一装置による重ね合わせ精度の最大値が二・四ナノメートル以下のもの
- ワ極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に調合したレジストを塗布し、成膜し、加熱し、又は現像するために設計した装置
- カドライエッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）等方性ドライエッチング用に設計し、又は改造した装置であって、シリコンゲルマニウムのシリコンに対するエッチング選択性の比率が一〇〇倍以上であるもの
- （二）異方性ドライエッチング用に設計し、又は改造した装置であって、次の全てに該当するもの（ア（一）又はサに該当するものを除く。）
- １高周波のパルス出力の電源を一以上有するもの
- ２切替時間が五〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するもの
- ３静電チャック（個別に温度を制御することができる領域を一〇以上有するものに限る。）を有するもの
- ヨウェットエッチング用に設計した装置であって、シリコンゲルマニウムのシリコンに対するエッチング選択性の比率が一〇〇倍以上であるもの
- タ異方性エッチング用に設計した装置であって、誘電体の材料に対して、エッチングの幅に対する深さの比率が三〇倍を超え、かつ、当該幅の寸法が一〇〇ナノメートル未満の形状を形成することができるもののうち、次の全てに該当するもの（カ（二）、ヨ、ア（一）又はサに該当するものを除く。）
- （一）高周波のパルス出力の電源を一以上有するもの
- （二）切替時間が三〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するもの
- レ半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）電気メッキ又は無電解メッキによりコバルトを成膜するように設計したもの
- （二）化学的気相成長法によりコバルトを充塡するように設計したもの又は選択性のボトムアップ成膜を用いる化学的気相成長法によりタングステンを充塡するように設計したもの
- （三）単一のチャンバー内での複数の工程によって金属のコンタクト層を成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの（（二）に該当するものを除く。）
- １ウエハーの基板温度を一〇〇度超五〇〇度未満に維持しながら、有機金属化合物を用いてタングステンの層を成膜するもの
- ２水素、水素と窒素の混合物又はアンモニアを用いたプラズマにより表面処理を行う工程を有するもの
- （四）半導体製造装置であって、複数のチャンバー又はステーション内での複数の工程によって成膜するように設計したもの（以下「特定半導体製造装置」という。）のうち、次に掲げる全ての工程により金属のコンタクト層を成膜するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。）
- １ウエハーの基板温度を一〇〇度超五〇〇度未満に維持しながら、水素（水素と窒素又はアンモニアとの混合物を含む。）を用いたプラズマにより表面処理を行う工程
- ２ウエハーの基板温度を四〇度超五〇〇度未満に維持しながら、酸素又はオゾンを用いたプラズマにより表面処理を行う工程
- ３ウエハーの基板温度を一〇〇度超五〇〇度未満に維持しながら、タングステンの層を成膜する工程
- （五）特定半導体製造装置のうち、次に掲げる全ての工程により金属のコンタクト層を成膜するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。）
- １リモートプラズマ源及びイオンフィルターを用いて表面処理を行う工程
- ２有機金属化合物を用いて銅の上に選択的にコバルトの層を成膜する工程
- （六）仕事関数金属（トランジスタの閾値電圧を制御するための材料をいう。以下同じ。）を原子層堆積法により成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの
- １二以上の金属の供給源を有するもののうち、アルミニウムの前駆体用に設計した供給源を一以上有するもの
- ２三〇度超の温度で作動するように設計した前駆体容器を有するもの
- ３仕事関数金属を成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの
- 一炭化チタンアルミニウムを成膜するもの
- 二四・〇電子ボルト超の仕事関数を可能とするもの
- （七）特定半導体製造装置のうち、次に掲げる全ての工程により金属のコンタクト層を成膜するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。）
- １ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、有機金属化合物を用いて窒化チタン又は炭化タングステンの層を成膜する工程
- ２ウエハーの基板温度を五〇〇度未満に維持しながら、〇・一三三三パスカル超一三・三三パスカル未満の圧力でスパッタリング法によりコバルトの層を成膜する工程
- ３ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、一三三・三パスカル超一三・三三キロパスカル未満の圧力で有機金属化合物を用いてコバルトの層を成膜する工程
- （八）特定半導体製造装置のうち、次に掲げる全ての工程により銅配線を形成するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。）
- １ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、一三三・三パスカル超一三・三三キロパスカル未満の圧力で有機金属化合物を用いてコバルト又はルテニウムの層を成膜する工程
- ２ウエハーの基板温度を五〇〇度未満に維持しながら、〇・一三三三パスカル超一三・三三パスカル未満の圧力で物理的気相成長法を用いて銅の層を成膜する工程
- （九）有機金属化合物を用いてバリヤー膜又はライナーを選択的に成膜するように設計した原子層堆積装置
- （十）ウエハーの基板温度を五〇〇度未満に維持しながら、配線の全体又は絶縁膜と絶縁膜との隙間（幅が四〇ナノメートル未満のものに限る。）にタングステンを原子層堆積法により充塡するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。）
- ソ特定半導体製造装置のうち、金属の層を成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。）
- （一）ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、化学的気相成長法又は周期的堆積法により窒化タングステンの層を成膜するもの
- （二）ウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、一三三・三パスカル超五三・三三キロパスカル未満の圧力で化学的気相成長法又は周期的堆積法によりタングステンの層を成膜するもの
- ツ特定半導体製造装置のうち、金属の層を成膜するように設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。）
- （一）バリヤー膜を用いずに選択的にタングステンを成長させるもの
- （二）バリヤー膜を用いずに選択的にモリブデンを成長させるもの
- ネウエハーの基板温度を二〇度超五〇〇度未満に維持しながら、有機金属化合物を用いてルテニウムの層を成膜するように設計した装置（レ（八）に該当するものを除く。）
- ナ空間的原子層堆積装置（回転軸をもつウエハーの支持台を有するものに限る。）であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）プラズマにより原子層を成膜するもの
- （二）プラズマ源を有するもの
- （三）プラズマ照射領域にプラズマを閉じ込めるためのプラズマシールド又は手段を有するもの
- ラ成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの（キ（三）に該当するものを除く。）
- （一）ウエハーが設置された空間とは異なる空間で発生させたラジカルにより化学反応を促進させることで成膜するものであって、シリコン及び炭素を含み、かつ、比誘電率が五・三未満の膜を、幅が七〇ナノメートル未満であり、当該幅に対する深さの比率が五倍を超え、かつ、パターンのピッチが一〇〇ナノメートル未満である水平方向の開口部に成膜するように設計したもの
- （二）四〇〇度超六五〇度未満の温度で成膜するもの（シリコン及び炭素を含み、かつ、比誘電率が五・三未満の膜を、幅が七〇ナノメートル未満であり、当該幅に対する深さの比率が五倍を超え、かつ、パターンのピッチが一〇〇ナノメートル未満である水平方向の開口部に成膜するように設計したものに限る。）であって、次の全てに該当するもの（（一）に該当するものを除く。）
- １垂直方向に積み重なった複数のウエハーを保持するように設計されたボートを有するもの
- ２二以上の垂直方向に伸びるインジェクターを有するもの
- ３膜のシリコン原料及びプロペンが導入されるインジェクターと膜の窒素原料又は膜の酸素原料が導入されるインジェクターが異なるもの
- ムマスク（極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したものに限る。）に使用するための多層の反射膜をイオンビーム蒸着又は物理的気相成長法により成膜するように設計した装置
- ウシリコン又はシリコンゲルマニウムのエピタキシャル成長用に設計した装置であって、次の全てに該当するもの
- （一）前処理としてウエハーの表面を清浄化するために設計したチャンバーを一以上有するもの
- （二）エピタキシャル成長の動作温度が六八五度以下であるもの
- ヰ厚さが二マイクロメートル超であり、かつ、密度が一立方センチメートル当たり一・七グラム超のカーボンハードマスクをプラズマを用いた化学的気相成長法により成膜するように設計した装置
- ノタングステンの膜（ふっ素の原子数が一立方センチメートル当たり一〇の一九乗未満のものに限る。）を、プラズマを用いた原子層堆積法又は化学的気相成長法により成膜するように設計した装置（レ（二）に該当するものを除く。）
- オ金属配線間の隙間（幅が二五ナノメートル未満であり、かつ、当該幅に対する深さの比率が一倍以上のものに限る。）に比誘電率が三・三未満の低誘電層を空隙が生じないようにプラズマを用いて成膜するように設計した装置（キ（三）に該当するものを除く。）
- ク〇・〇一パスカル以下の真空状態において稼働するアニール装置であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）銅のリフローを実施することにより、銅配線の空隙又は継ぎ目を最小化し、又はなくすことができるもの
- （二）コバルト又はタングステンの充塡金属のリフローを実施することにより、空隙又は継ぎ目を最小化し、又はなくすことができるもの
- ヤ〇・〇一パスカル以下の真空状態において、高分子残さ及び銅酸化膜を除去し、かつ、銅の成膜を可能にするように設計した洗浄除去装置
- マ複数のチャンバー又はステーションを有する洗浄除去装置であって、ドライプロセスにより表面の酸化物を除去する前処理を行うように設計したもの又はドライプロセスにより表面の汚染物を除去するように設計したもの
- ケウエハーの表面改質の後に乾燥を行う工程を有する枚葉式のウェット洗浄装置
- フ極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用のマスクブランク又は当該装置用のパターン付きのマスクを検査するように設計した装置
- コプラズマドーピング用に設計されたイオン注入装置のうち、次の全てに該当するもの
- （一）高周波の出力の電源を一以上有するもの
- （二）パルス直流電源を一以上有するもの
- （三）少なくともＮ型又はＰ型のいずれかの不純物の注入が可能なもの
- エ深紫外液浸フォトリソグラフィ装置において、又は、深紫外液浸フォトリソグラフィ装置とともに、次のいずれかを実施するように設計又は改造した装置
- （一）次の全てに該当するもの
- １深紫外液浸フォトリソグラフィ装置のナノメートルで表した光源の波長に〇・二五を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値を四五以下に減少させるもの
- ２深紫外液浸フォトリソグラフィ装置の重ね合わせ精度を二・四ナノメートル以下にするもの
- （二）ヘ（一）２又はヲに該当する露光装置の任意の時間間隔における一時間当たりのウエハーを処理する枚数を平均で一パーセント以上増加させるように設計又は改造したもの
- テインプリントリソグラフィ装置であって、四・〇ナノメートル以下の重ね合わせ精度を有するもの
- アエッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）異方性ドライエッチング用に設計した装置であって、次の全てに該当するもの
- １二以上の独立した高周波の電源を有するもの
- ２二以上の独立したガスの供給源を有するもの
- ３ウエハーの厚みの不均一性を補正するためのプロセス均一性調整機能を有するもの
- ４シリコン貫通電極の露出工程の終点検出の機能を有するもの
- （二）異方性エッチング用に設計した装置であって、誘電体の材料に対して、エッチングの幅に対する深さの比率が高い形状を形成することができるもののうち、次の全てに該当するもの（カ（二）、ヨ、タ、ア（一）又はサに該当するものを除く。）
- １エッチングの幅に対する深さの比率が三〇を超えるもの
- ２エッチングの幅の上面の寸法が四〇ナノメートル未満のもの
- （三）シリコン貫通電極を作るためのエッチングに用いるために設計した装置であって、次の全てに該当するもの（カ、ヨ、タ、ア（一）又はア（二）に該当するものを除く。）
- １シリコンのエッチング速度が一分につき七マイクロメートルを超えるもの
- ２ウエハー内のエッチングの深さの不均一性が二パーセント以下のもの
- ３シリコン貫通電極のアスペクト比が一〇以上のもの
- サ極端紫外パターンシェイピング用に設計した装置（カ（一）、ヨ又はア（一）に該当するものを除く。）
- キ半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）タングステンの膜を物理的気相成長法により成膜する装置であって、イオンフラックス誘導用の電磁石を有し、アスペクト比を三以上の形状に対して成膜するために特別に設計したもの
- （二）モリブデン若しくはルテニウム又はモリブデンとルテニウムを組み合わせた膜を原子層堆積法により成膜するように設計又は改造した装置であって、次の全てに該当するもの（ネに該当するものを除く。）
- １七五度を超える温度で動作するように設計又は改造した金属前駆体の供給源を有するもの
- ２四キロパスカル以上の圧力で水素を含む還元剤を使用するプロセスチャンバーを有するもの
- （三）プラズマ又はラジカルを用いた化学的気相成長法により成膜するように設計した装置であって、基板の温度を五〇〇度未満に維持しながら、誘電体膜を単一の装置上で紫外線による硬化を行うもののうち、次の全てに該当する誘電体膜を成膜できるもの
- １六ナノメートル超二〇ナノメートル未満の厚さの金属形状であって、二四ナノメートル未満のピッチを有し、かつ、一・八以上のアスペクト比を有するもの
- ２三・〇未満の比誘電率を有するもの
- （四）炭素材料を化学的気相成長法により成膜するように設計した装置であって、密度が一立方センチメートル当たり一・六グラムを超える材料を用いたもの（ヰに該当するものを除く。）
- （五）二種類以上の金属前駆体を直接液体注入する成膜装置であって、単一の成膜用のチャンバー内に、幅に対する深さの比率が五〇倍を超える形状に、比誘電率が三五を超える等方的誘電体膜を成膜するように設計又は改造したもの
- ユ三〇〇ミリメートルウエハー用に設計したアニール装置であって、ウエハーを一、〇〇〇度を超える温度で、二ミリ秒未満の持続時間で加熱できるように設計したもの
- メ超臨界二酸化炭素又は昇華乾燥を用いるように設計した枚葉式のウエハー洗浄装置
- ミ直径三〇〇ミリメートル以上のウエハーを受け入れるように設計又は改造したパターン付きウエハー欠陥測定装置又はパターン付きウエハー欠陥検査装置であって、次の全てに該当するもの
- （一）二一ナノメートル以下の大きさの欠陥を検出するように設計又は改造したもの
- （二）次のいずれかを有するもの
- １波長が四〇〇ナノメートル未満の光源
- ２分解能が一・六五ナノメートル以下の電子ビーム源
- ３ビーム冷陰極電界放出型の電子ビーム源
- ４二以上の電子ビーム源
- シ計測装置であって、次のいずれかに該当するもの
- （一）露光前にウエハー形状パラメータを測定し、開口数一・三超の液浸レンズを有する深紫外リソグラフィ装置又は極端紫外リソグラフィ装置の重ね合わせ誤差又はフォーカスを改善するために測定値を利用するように設計したスタンドアロン装置
- （二）画像ベースの重ね合わせ誤差又は回折ベースの測定技術を用いて、製品ウエハー上のレジスト現像後又はエッチング後のフォーカス又は重ね合わせ誤差を測定するように設計した測定装置で、〇・五ナノメートル以下の重ね合わせ誤差測定精度を有するものであって次のいずれかを有するもの
- １トラックへの組み込み用に設計されたもの
- ２高速波長切り替え機能を有するもの
- 十七の二半導体素子、集積回路又は半導体物質の製造用の装置又は試験装置であって、次のいずれかに該当するもの
- イ半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であって、次の（一）から（七）までの全てに該当するもの（国際半導体製造装置材料協会が定めたＳＥＭＩ規格に準拠したウエハーの搬送・保管容器（二〇〇ミリメートル以上のフロント・オープニング・ユニファイド・ポッド（ＦＯＵＰ）を含む。）用にウエハー搬入部を設計したものを除く。）
- （一）ステージの位置決め精度が三〇ナノメートル未満のもの
- （二）レーザー干渉計によるステージ位置計測が可能なもの
- （三）レーザー干渉計による長さスケール計測に基づく視野の位置校正が可能なもの
- （四）画素数が二〇〇、〇〇〇、〇〇〇を超える画像の収集及び保存が可能なもの
- （五）画像を取得する際の視野の重なりが垂直方向及び水平方向で五パーセント未満のもの
- （六）画像を結合する際の視野の重なりが五〇ナノメートル未満のもの
- （七）加速電圧が二一キロボルトを超えるもの
- ロ極低温ウエハープローバ装置であって、次の（一）及び（二）に該当するもの
- （一）零下二六八・六五度以下の温度で試験を行うことができるように設計したもの
- （二）直径が一〇〇ミリメートル以上のウエハーに対応するように設計したもの
- 十七の三集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル又はこれらの部分品若しくは附属品であって、次のいずれかに該当するもの
- イマスク又はレチクル（ニに該当するものを除く。）であって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの又はこれらの部分品若しくは附属品（ホに掲げるものを除く。）
- ロ位相シフト膜を有する多層マスクであって、光源の波長が二四五ナノメートル未満のリソグラフィ装置に用いるために設計したもの（イに該当するもの及び第一号から第八号の四までのいずれにも該当しない記憶素子を製造するために設計したものを除く。）又はその部分品若しくは附属品
- ハインプリントリソグラフィテンプレートであって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの又はその部分品若しくは附属品
- ニ極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したマスク又はレチクルであって、次号に該当するマスクブランクを有するもの又はこれらの部分品若しくは附属品（ホに掲げるものを除く。）
- ホペリクルであって、極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したもの
- 十七の四マスクの製造に用いられる基材であって、モリブデン及びシリコンからなる多層膜の反射構造を有するマスクブランクのうち、次のイ及びロに該当するもの
- イ極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したもの
- ロ国際半導体製造装置材料協会が定めたＳＥＭＩ規格Ｐ三七の仕様に準拠したもの
- 十八基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層膜の結晶を有し、かつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエピタキシャル材料となるもの（次号に該当するもの又はニに該当する化合物（窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニウムガリウム、リン化ガリウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジウム、リン化インジウムガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガリウムアルミニウムに限る。）のＰ型エピタキシャル層を一層以上有するものであって、当該Ｐ型エピタキシャル層がＮ型層に挟まれていないものを除く。）
- イシリコン
- ロゲルマニウム
- ハ炭化けい素
- ニⅢ―Ⅴ族化合物（ガリウム又はインジウムの化合物に限る。）
- ホ三酸化二ガリウム
- ヘダイヤモンド
- 十八の二基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の一層以上からなる膜の結晶を有し、かつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、エピタキシャル材料となるもの
- イシリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- ロゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又はゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- 十九レジストであって、次のいずれかに該当するもの又はそれを塗布した基板
- イ半導体用のリソグラフィに使用するレジストであって、次のいずれかに該当するもの
- （一）一五ナノメートル以上一九三ナノメートル未満の波長の光で使用するように最適化したポジ型レジスト
- （二）一ナノメートル超一五ナノメートル未満の波長の光で使用するように最適化したレジスト
- ロ電子ビーム又はイオンビームで使用するために設計したレジストであって、〇・〇一マイクロクーロン毎平方ミリメートル以下の感度を有するもの
- ハ削除
- ニ表面イメージング技術用に最適化したレジスト
- ホ第十七号ヘ（二）に該当するインプリントリソグラフィ装置に使用するように設計又は最適化したレジストであって、熱可塑性又は光硬化性のもの
- 二十有機金属化合物又は有機化合物であって、次のいずれかに該当するもの
- イアルミニウム、ガリウム又はインジウムの有機金属化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの
- ロ燐、砒素又はアンチモンの有機化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの
- 二十一燐、砒素又はアンチモンの水素化物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの（二〇モルパーセント以上の不活性ガス又は水素を含んだものを除く。）
- 二十二炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドの半導体基板又はインゴット、ブール若しくはその他のプリフォームであって、二〇度の温度における電気抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもの
- 二十三多結晶基板又は多結晶セラミック基板であって、二〇度の温度における電気の抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもののうち、当該基板の表面にシリコン、炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドの非エピタキシャル単結晶層を少なくとも一層以上有するもの
- 二十四前二号のいずれかに該当する基板であって、当該基板の上に炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドのエピタキシャル層を少なくとも一層以上有するもの（第十八号に該当するものを除く。）
- 二十五シリコン又はゲルマニウムのふっ化物、水素化物又は塩化物であって、次のいずれかを含むもの
- イシリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- ロゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又はゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- 二十六シリコン、シリコン酸化物、ゲルマニウム又はゲルマニウム酸化物であって、次のいずれかを含むもの又はこれらの基板若しくはインゴット、ブール又はその他のプリフォーム
- イシリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
- ロゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又はゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
改正履歴（輸出貿易管理令）
- 2026-06-05 施行: 外国為替及び外国貿易法の一部を改正する法律の一部の施行に伴う関係政令の整理に関する政令（令和八年政令第百九十四号）
- 2026-02-14 施行: 輸出貿易管理令の一部を改正する政令（令和七年政令第三百七十六号）
- 2026-01-19 施行: 輸出貿易管理令の一部を改正する政令（令和七年政令第三百八十二号）
- 2025-12-01 施行: 輸出貿易管理令の一部を改正する政令（令和七年政令第三百七十六号）
- 2025-11-15 施行: 輸出貿易管理令の一部を改正する政令（令和七年政令第三百七十六号）
- 2025-10-09 施行: 輸出貿易管理令の一部を改正する政令（令和七年政令第百七十七号）
- 2025-10-09 施行: 外国為替令等の一部を改正する政令（令和七年政令第百七十五号）
- 2025-06-26 施行: 船舶の再資源化解体の適正な実施に関する法律施行令（平成三十一年政令第十一号）
- 2025-05-28 施行: 外国為替令及び輸出貿易管理令の一部を改正する政令（令和七年政令第百二号）
- 2025-04-11 施行: 輸出貿易管理令の一部を改正する政令（令和七年政令第百七十七号）
この改正履歴は輸出貿易管理令全体の改正一覧です。各改正が 七の項の記載を変更したとは限りません。